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[LV.1]初来乍到

发表于 2018-4-30 11:06 |显示全部楼层
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周期之间等待的时间,使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送,以加快CPU数据的处理。EDO DRAM目前广泛应用于计算机主板上,几乎完全取代了FPM DRAM,工作电压一般为5V,接口方式为72线(SIMM),也有168线(DIMM)。

  BEDO DRAM(Burst EDO DRAM),即突发式EDO DRAM。是一种改良式EDO DRAM。它和EDO DRAM不同之处是EDO DRAM一次只传输一组数据,而BEDO DRAM则采用了"突发"方式运作,一次可以传输"一批"数据,一般BEDO DRAM能够将EDO DRAM的性能提高40%左右。由于SDRAM的出现和流行,使BEDO DRAM的社会需求量降低。

  SDRAM(Synchronous DRAM)即同步DRAM。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3V,其接口多为168线的DIMM类型。它最大的特色就是可以与CPU的外部工作时钟同步,和我们的CPU、主板使用相同的工作时钟,如果CPU的外部工作时钟是100MHZ,则送至内存上的频率也是100MHZ。这样一来将去掉时间上的延迟,可提高内存存取的效率。

REGISTERED 内存
  Register IC 内存条底部较小的集成电路芯片(2-3片), 起提高驱动能力的作用。服务器产品需要支持大容量的内存,单靠主板信号线的电流无法驱动如此大容量的内存,而使用带Register的内存条,通过Register IC提高驱动能力,使服务器可支持高达32GB的内存。

ECC内存
  错误检查与校正内存(ECC)提供了一个强有力的数据纠正系统。ECC内存不仅能检测一位错,而且它能定位错误和在传输到CPU 之前纠正错误,将正确的数据传输给CPU。允许系统进行不间断的正常的工作,ECC内存能检测到多位错(而奇偶校验内存就不能达到这一点)并能在检测到多位错时产生报警信息,但它不能同时更正多位错。
  ECC的工作过程是这样的:当数据写到内存中时,ECC将数据的一个附加位加识别码,当数据被回写时,存储的代码和原始的代码相比较,如果代码不一致,数据就被标记为"坏码",然后坏码会被纠正,并传输到CPU中,如果检测到多位错时,系统就会发出报警信息。


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